Aixtron- und die Banken stufen fröhlich auf kaufen

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neuester Beitrag: 16.07.24 10:00
eröffnet am: 18.08.09 15:23 von: Katjuscha Anzahl Beiträge: 54779
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15.07.24 14:05
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2997 Postings, 4781 Tage PurdieTesla

hier dreht der Absatz so langsam zum Positiven, die sind ja der eigentliche Pionier von SiC in EV.

https://www.finanzen.net/nachricht/aktien/...r-auf-den-markt-13670919  

16.07.24 09:33
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2997 Postings, 4781 Tage PurdieNexperia

EQS-Media / 16.07.2024 / 07:30 CET/CEST

Herzogenrath, 16. Juli 2024 - AIXTRON (FSE: AIXA) unterstützt Nexperia beim Ausbau seiner 200mm-Volumenproduktion für Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) Leistungsbauelemente. Der Halbleiterkonzern hat sich für einen Folgeauftrag für AIXTRONs G10-SiC entschieden, ergänzt durch eine weitere Bestellung für AIXTRONs G10-GaN-Anlagengeneration.

Mit den Anlagen von AIXTRON werden sowohl GaN- als auch SiC-Epitaxie-Schichten für die Entwicklung energieeffizienter Feldeffekt- (FET) oder Metall-Oxid-Feldeffekt-Transistoren (MOSFET) der nächsten Generation hergestellt. Sie kommen in verschiedenen Energieumwandlungsanwendungen - etwa in Rechenzentren, Solarwechselrichtern, Elektrofahrzeugen oder Zügen - zum Einsatz.

Nexperia verfügt über jahrzehntelange Erfahrung in der Entwicklung von Leistungsbauelementen und erzielte im Jahr 2023 einen Umsatz von mehr als 2,1 Milliarden USD. Das Unternehmen hat im Jahr 2019 seinen ersten GaN-FET auf den Markt gebracht, gefolgt im Jahr 2023 vom ersten SiC-MOSFET. Nexperia erweitert sein Portfolio kontinuierlich um neue hochzuverlässige und energieeffiziente Bauelemente.

Der global erfolgreiche Halbleiterkonzern hat seinen Hauptsitz im niederländischen Nijmegen und betreibt Fabriken in Hamburg und im Großraum Manchester (England). Die AIXTRON-Epitaxie-Anlagen werden in der Nexperia-Wafer Fab in Hamburg installiert und stärken die Halbleiter-Produktionskapazitäten in der Region weiter. Das Unternehmen produziert dort jährlich rund 100 Milliarden diskrete Halbleiter, was etwa einem Viertel der weltweiten Produktion dieser Bauelement-Typen entspricht.

"Wir freuen uns sehr, dass sich mit Nexperia ein zentraler Akteur in der Halbleiterindustrie für unsere Anlagen entschieden hat. Mit unseren G10-Epitaxie-Lösungen kann Nexperia die eigene Wachstumsstrategie mit der Großserienproduktion von Wide-Bandgap-Halbleitern für kommerzielle Anwendungen umsetzen. Gemeinsam geben wir dabei den Takt für den Übergang der Industrie zu energieeffizienteren SiC- und GaN-Lösungen vor", sagte Dr. Felix Grawert, Vorstandsvorsitzender der AIXTRON SE.

"Unsere strategische Partnerschaft mit AIXTRON ist für uns von großer Bedeutung, da wir unsere technologischen Fähigkeiten und unsere Marktpräsenz im Bereich der Hochleistungs-Halbleiterproduktion weiter ausbauen. Die Integration der G10-Anlagen wird unsere Entwicklungs- und Produktionskapazitäten für die Wide-Bandgap-Technologie deutlich verbessern. Wir bauen auf AIXTRONs bewährte Homogenität und nutzen die zusätzlichen Produktivitätsgewinne von AIXTRONs G10-Anlagen, um unsere Produktion effizient und kostengünstig zu steigern. Mit den neuen G10-Anlagen in unserer Hamburger Fab können wir unsere Produktionskapazitäten weiter ausbauen", sagte Achim Kempe, COO bei Nexperia B.V.  

16.07.24 10:00

2997 Postings, 4781 Tage PurdieAixtron

Die Umstellung auf die 200er Wafer wird SiC und GaN weiter nach vorne bringen, da die Produktion immer günstiger wird.

Interessant auch in der Tesla Info aus dem Jahr 2021 folgender Absatz:

"Elektroauto-Branche folgt Tesla

Darauf ist auch der Rest der Elektroauto-Branche aufmerksam geworden. Laut Nikkei Asia hat der deutsche Chip-Hersteller Infineon in diesem Juni ein SiC-Modul für Wechselrichter auf den Markt gebracht. Es solle in der nächsten Generation von Hyundai-Elektroautos eingesetzt und deren Reichweite um gut 5 Prozent erhöhen. Renault hat demnach bei dem Tesla-Lieferanten STMicroelektronics ab 2026 ebenfalls SiC-Halbleiter bestellt. Die französische Marktforschungsfirma Yole Developpement sagt bis dahin eine Versechsfachung dieses Marktes auf 4,48 Milliarden Dollar voraus."

Da erkennt man die Aussage von Pickert, dass es sehr viele Jahre braucht bis die Autohersteller neue Produkte tatsächlich ins Fahrzeug bringen. Renault bestellt also 5 Jahre im voraus SiC Chips bei ST Micro.

Darum entstehen gerade in 2025 ff soviele neue SiC Fabriken, der SiC Anteil an den heutigen EV dürfte bis auf Tesla sehr gering sein. Die beste Zeit hat SiC erst noch vor sich und Aixtron auch.

Ich schätze das Potenzial von GaN jedoch noch höher ein.

Es bleibt sehr spannend bei AIX.  

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