Der Chemiekonzern BASF hat bekannt gegeben, dass mit IBM eine Vereinbarung zur gemeinsamen Entwicklung von Prozesschemikalien getroffen wurde. Diese seien für die zukünftigen Herstellungsverfahren integrierter Schaltkreise erforderlich. Im Rahmen dieses Abkommens würden BASF und IBM gemeinsam chemische Lösungen für das Herstellungsverfahren neuer energieeffizienter Hochleistungschips auf Basis der 32-Nanometer (nm)-Technologie entwickeln. Erwartet wird, dass sowohl die Technologie als auch die dazugehörigen Chemikalien und Materialien bereits 2010 von maßgeblichen Firmen in der Halbleiterindustrie in Nordamerika, Asien und Europa eingesetzt werden ."Wir machen einen riesigen Sprung nach vorne und stellen uns den zukünftigen Herausforderungen der Halbleiterindustrie", sagte Dr. Ralf Fink, Senior Manager BASF Electronic Materials. "Diese Zusammenarbeit wird von der führenden Prozesstechnologie der IBM und dem Fachwissen und den Innovationen der BASF im Bereich Chemikalien und Nanotechnologie profitieren", fügte er hinzu. "IBM und BASF sind überzeugt, dass dieses Projekt beiden Akteuren die Möglichkeit geben wird, ihre führende Position in der Halbleiterindustrie aufrechtzuerhalten", sagte Dr. Ronald D. Goldblatt, Ingenieur und Senior Manager bei IBM Research. "Die Chemie wird eine immer wichtigere Rolle bei der Entwicklung der IC-Produkte der nächsten Generation (32 nm) spielen.“
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