Infineon bemustert die weltweit kleinsten 1-Gbit-DDR-SDRAMs - 110-nm-Technologie und Dual-Die-Stack bringen größten Speicher auf kleinstem Raum
2003-08-26
Quelle: Infineon.de
München, 26. August 2003 – Infineon Technologies AG hat die ersten Muster seines 1-Gbit Synchronen DRAMs (SDRAM) mit Double-Data-Rate-Funktionalität an ausgewählte Schlüsselkunden geliefert. Die Bausteine wurden mit Infineons fortschrittlichen 110-nm-CMOS-Prozess hergestellt und weisen eine Chipfläche von nur 160mm² auf. Damit sind die kleinsten 1-Gbit-DDR-SDRAMs auf dem Markt.
Die neuen 1-Gbit-Speicherchips werden wahlweise in einem 66-poligen TSOP (Thin Small Outline Package) von 400 mil Breite oder in einem besonders platzsparenden 68-poligen FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array) angeboten. Die Bausteine sind x4, x8 oder x16 organisiert. Die Double-Data-Rate-Geschwindigkeit reicht von DDR266 bis hin zu DDR400, wobei der Speichertakt bei 133 MHz bis hin zu 200 MHz liegt.
“ Wir sind sehr stolz darauf, wieder einmal die kleinste Chipfläche für ein DRAM einer neuen Generation zu haben”, sagte Dr. Harald Eggers, Leiter der Memory Products Group von Infineon Technologies. „Damit wird die Führungsrolle unserer Trench-Zellen-Technologie für DRAMs erneut eindrucksvoll unterstrichen. Dadurch wird die ökonomische Produktion der 1-Gbit-Speicher erst ermöglicht. Die neuen Speicherbausteine werden die Grenzen für den Speicherausbau in High-End-Servern und -Workstations auf ein neues Niveau heben. Die Computersysteme werden dadurch schneller, leistungsfähiger und benutzerfreundlicher.“
Um die höchstmögliche Speicherdichte pro Modul zu erzielen, verwendet Infineon eine Stack-Version des FBGA-Gehäuses für das Registered-DIMM von 4 Gbyte. Bei der Dual Die Stack“ genannten Technologie befinden sich zwei DRAM-Chips übereinander im selben Gehäuse, das dadurch geringfügig dicker ist als ein normales FBGA. Durch diese innovative Stacking-Technologie lassen sich bisher nicht erreichte Speicherdichten pro Board-Fläche erzielen. Darüber hinaus weisen die „Dual-Die-Stack“-Gehäuse im Vergleich zu bisher üblichen Stacking-Technologien stark verbesserte elektrische und thermische Kennwerte auf. Alternativ wird es das 4-Gbyte Registered-DIMM auch auf Basis der gestapelten TSOP-Gehäuse geben.
Das 1-Gbit-DDR-SDRAM wird hauptsächlich für die Herstellung von DRAM-Modulen höchster Speicherdichte für den Markt der High-End-Server und -Workstations verwendet werden. Die wesentlichen Produkte werden hier die Registered-DIMMs (Dual-Inline Memory Modules) mit 4 Gbyte und 2 Gbyte Speicherausbau sein, sowie die ungepufferten 2-Gbyte-DIMMs. SO-DIMMs (Small-Outline-DIMMs) für Notebook-Computer werden in den Ausbaustufen 2 Gbyte und 1 Gbyte mit den DRAMs der neuen Generation angeboten werden. Alle Module sollen im Verlauf des 4. Quartals 2003 bemustert werden und Anfang 2004 bei Infineon in Produktion gehen.
Anfangs wird das neue 1-Gbit-DDR-SDRAM in Infineons Halbleiterwerk in Dresden gefertigt. Das Dresdner Werk ist ein integraler Bestandteil von Infineons „Fab Cluster“. Allgemeine Muster werden im vierten Quartal 2003 verfügbar sein.
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